Abstract

FIELD: microelectronics, in particular, reverse lithography method. SUBSTANCE: method involves application of positive resistive layer on substrate, pattern exposition, development, application of additional layer and removal of resistive layer. Goal of invention is achieved by preliminary application of material on substrate, exposition of resistive layer by electron beam, which is factor of 2-3 less than sensitivity of electron resistive layer, and after development, exposition of features generated in resistive layer by ultraviolet light with wavelength of 200-300 nm, and power of 1.5-3 kJ per sq. cm in air or oxygen. After removal of resistive layer method involves film material etching, complete removal of electron resistive layer using reverse lithography after application of additional layer. EFFECT: increased sensitivity of electron resistive layer due to additional exposition to ultraviolet light and decreased exposition to electron beam; decreased deviation in size of submicron features from defined values, elimination of etching resistive layer without electron beam exposition due to selective absorption of ultraviolet light. 1 dwg, 8 ex
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании структур методом обратной литографии. В предложенном способе формирования структур микроэлектроники, включающем нанесение на подложку позитивного резиста, экспонирование рисунка, проявление, нанесение дополнительного слоя материала и удаление резиста, на подложку предварительно наносят пленку материала, экспонирование резиста осуществляют дозой электронов, в 2-3 раза меньшей чувствительности электронорезиста, а после проявления сформированные в резисте элементы облучают ультрафиолетовым светом с длиной волны от 200 до 300 нм, дозой от 1,5 до 3 кДж/см 2 в атмосфере воздуха или кислорода, после удаления резиста на глубину облученного слоя проявлением осуществляют травление материала пленки, полностью удаляют электронорезист обратной литографией после нанесения дополнительного слоя. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении чувствительности электронорезиста за счет дооблучения ультрафиолетовым излучением, позволяющей снизить время экспозиции электронами, а также устранении ухода размеров формируемых субмикронных элементов от заданных и устранении травления областей резиста, не модифицированных электронами, за счет использования селективности поглощения ультрафиолетового излучения. 1 табл.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    RU-2551841-C2May 27, 2015Басф СеComposites for resist removal and methods of electric devices manufacturing